7月23日至24日，由成都高新发展股份有限公司（以下简称：高新发展）承办的“第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛”在成都圆满召开。

7月23日上午，第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会正式拉开帷幕。中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书长赵小宁主持开幕式，成都市高新区高新区党工委委员、管委会副主任车轴在开幕式上致辞。

他表示，“半导体分立器件产业作为推动半导体产业持续发展的重要力量，要把握此次盛会之机，全方位展现成都高新区作为创新高地的独特魅力与卓越实力，持续深化开放合作，积极融入全球半导体产业链供应链，共同开拓国际市场，推动成都高新区半导体产业走向世界，助力我国半导体技术创新和产业发展迈上新的台阶！”

半导体分立器件作为电子信息产业的核心基石，是半导体技术创新的前沿阵地，始终引领着半导体产业科技进步的方向。来自半导体分立器件的400多家重点企业、行业精英，60多家高校院所及专家学者等680余人齐聚此次盛会，围绕半导体器件技术的创新、产业发展、政策环境等方面开启48场报告演讲，共同探讨行业发展的新路径、新模式、新功能。

高新发展副总经理孟繁新博士受邀参加会议，并发表“IGBT芯片、模块封装技术创新与挑战”专题报告。他指出IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、特种电源、新能源发电、新能源汽车等领域。随着应用需求的发展，给IGBT芯片技术、模块封装技术提出了更高的耐温、耐压、密度、频率、可靠性等技术挑战。报告通过对IGBT芯片技术的演进和IGBT模块技术的演进进行分析，阐述了IGBT性能提升的关键技术路径。同时，孟繁新博士还介绍了高新发展功率半导体事业群在IGBT芯片、封装、测试、应用的技术能力，展示了提供设计仿真-分立器件背面减薄-封装测试-组件集成-应用验证的一站式解决方案的能力。

当晚，论坛还举行了晚宴并进行颁奖仪式，芯未半导体凭借出色的稳定性、高可靠性的产品制造工艺；丰富的产品系列制造；先进的质量保证体系；高效的产品生产能力，荣获“特色工艺特别贡献奖”。获此殊荣，是对高新发展功率半导体事业群IGBT生产线在工艺创新和独特贡献方面的高度认可，高新发展半导体事业群将不断在特色工艺的道路上继续探索和创新，致力于解决行业内存在的工艺难题，推动整个行业的技术进步。

会议期间，一系列精彩的演讲和研讨令人印象深刻。在会场外，精彩纷呈的展台也让参会人员驻足。高新发展功率半导体事业群在本次活动的展台上，携自主研发的IGBT产品及先进制造工艺精彩亮相。为大家带来了工控、新能源车领域最新研发产品，同时展示了先进、稳定、可靠的分立器件加工、模块封测工艺，以及适用于工控、光储充、新能源车等各类产业应用场景的全套系统解决方案，吸引众多观众咨询交流。

在展台上，通过与行业内专家学者面对面的交流互动，让思想火花四溅，与参会者们积极分享经验、交流心得，共同为推动行业进步出谋划策。这不仅是知识的传递，更是合作的开端，为未来的协同创新奠定了坚实基础。本次活动众多企业展示的最新产品和解决方案，更是展现了我国在半导体分立器件领域的强大实力和无限潜力

未来，高新发展半导体事业群将继续加大研发投入，加强产业合作、关注新兴领域，坚持高水平科技自立自强，突破关键技术瓶颈，在现代化进程中不断开辟发展新领域、新赛道，塑造发展新动能、新优势。以科技创新提升国产半导体在全球市场的竞争力，实现产业的可持续发展。